东芝的功率MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，这使其成为降低系统损耗的完美解决方案，从而促进了汽车应用的节能效果。

得益于小型几何形状的沟槽工艺，导通电阻得以减少。

由于使用了铜连接器结构，DPAK+和TO-220SM（W）系列产品的电流驱动能力是前一代产品的两倍。

按照AEC-Q101的要求，MOSFET扩展产品组合能承受的温度高达175℃。

对于额定值为60A或更低的应用，功率MOSFET扩展产品组合采用了SOP封装（SOP Advance、TSON Advance、PS-8），这已经通过客户应用得到充分的验证。

所有的设备都经过了严格的检测，可确保雪崩击穿保护。

栅极和源极之间的齐纳二极管提供ESD保护（某些器件除外）

通过调谐Coss・Rs抑制VDS振铃，有助于降低EMI噪音。