东芝延续每一代的沟道结构和制造工艺，稳定地降低其低压功率MOSFET的漏极-源极导通电阻RDS(ON)。

东芝提供超结MOSFET系列用于高输出电源应用，并提供D-MOS（双扩散）MOSFET系列用于低输出电源应用。

东芝提供一系列功率器件，比如使用于各种车载应用的功率MOSFET，包括12V电池和电机控制系统。

我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能，并使用SiC（碳化硅），这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料，适用于工业电源转换器，例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。

东芝的1200V SiC MOSFET具有高速开关和低导通电阻的特性，非常适合大功率，高效率的工业电源，低损耗的太阳能逆变器和UPS。

东芝MOSFET栅极驱动IC是一种非常小的N沟道MOSFET驱动IC，内置保护电路。利用外部N沟道MOSFET，可以设计出小型、低损耗的理想电源电路。

射频MOSFET产品系列输出功率为0.1～12W，电源电压为3.6～12.5V，适用于射频功率放大器。